9月25日，第四屆GMIF2025創(chuàng)新峰會(huì)在深圳灣萬(wàn)麗酒店盛大召開。本屆峰會(huì)圍繞“AI應(yīng)用，創(chuàng)新賦能”主題，聚焦存算技術(shù)趨勢(shì)、AI應(yīng)用落地與產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同三大方向，匯聚全球存儲(chǔ)與AI產(chǎn)業(yè)精英，共探AI時(shí)代下存儲(chǔ)技術(shù)的演進(jìn)與生態(tài)共建。

作為存儲(chǔ)領(lǐng)域的重要參與者，鎧俠在峰會(huì)上展出了基于BiCS FLASH™技術(shù)的全場(chǎng)景產(chǎn)品，其中包括245.76TB超大容量企業(yè)級(jí)SSD。峰會(huì)期間，鎧俠就當(dāng)前核心戰(zhàn)略、新一代存儲(chǔ)技術(shù)、產(chǎn)品線布局及未來(lái)技術(shù)研發(fā)等關(guān)鍵問(wèn)題接受了集微網(wǎng)專訪。

核心戰(zhàn)略：以技術(shù)、規(guī)模與合作驅(qū)動(dòng)增長(zhǎng)，兼顧盈利與財(cái)務(wù)健康

在經(jīng)歷一段時(shí)期的行業(yè)波動(dòng)和財(cái)務(wù)重組后，鎧俠的核心戰(zhàn)略備受關(guān)注。對(duì)此，鎧俠表示，當(dāng)前AI應(yīng)用普及正推動(dòng)閃存市場(chǎng)需求不斷擴(kuò)大，鎧俠將持續(xù)以技術(shù)實(shí)力、生產(chǎn)規(guī)模以及與客戶或供應(yīng)鏈的合作伙伴關(guān)系作為增長(zhǎng)引擎，提供支持?jǐn)?shù)據(jù)運(yùn)用技術(shù)創(chuàng)新的存儲(chǔ)技術(shù)和全新解決方案，在信息基礎(chǔ)設(shè)施中發(fā)揮核心作用。

技術(shù)方面，鎧俠BiCS Flash始終保持領(lǐng)先地位，BiCS 8 TLC和QLC在業(yè)內(nèi)廣受好評(píng)，為AI專用SSD等產(chǎn)品賦予更強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力，可滿足“高性能”“大容量”“低功耗”等多樣化存儲(chǔ)需求，而更為先進(jìn)的BiCS 9和BiCS 10產(chǎn)品也已蓄勢(shì)待發(fā)。

財(cái)務(wù)與投資層面，鎧俠將依照規(guī)定進(jìn)行設(shè)備投資和戰(zhàn)略性資源分配，穩(wěn)步提升盈利能力。具體而言，會(huì)將設(shè)備投資控制在銷售額的20％以下，并根據(jù)市場(chǎng)動(dòng)向合理配置資源，同時(shí)全力改善財(cái)務(wù)狀況，實(shí)現(xiàn)健康穩(wěn)健發(fā)展。

新一代BiCS FLASH技術(shù)：雙軌并行，性能與容量雙突破

今年2月，鎧俠與閃迪聯(lián)合發(fā)布下一代3D閃存技術(shù)，7月又宣布采用第9代BiCS FLASH 3D閃存技術(shù)的512Gb TLC產(chǎn)品啟動(dòng)樣品出貨，并計(jì)劃于2026年量產(chǎn)。

談及這兩款產(chǎn)品的技術(shù)優(yōu)勢(shì)與應(yīng)用領(lǐng)域，以及第9代產(chǎn)品快速跟進(jìn)和量產(chǎn)的意義，鎧俠介紹，BiCS 9沿用BiCS 8先進(jìn)的CBA（CMOS directly Bonded to Array，外圍電路直接鍵合到存儲(chǔ)陣列）技術(shù)，將現(xiàn)有存儲(chǔ)單元技術(shù)與最新CMOS邏輯電路結(jié)合，在兼顧投資成本的同時(shí)實(shí)現(xiàn)更高性能；BiCS 10同樣運(yùn)用先進(jìn)CBA技術(shù)，通過(guò)增加存儲(chǔ)單元堆疊層數(shù)，進(jìn)一步提升容量與性能。

從產(chǎn)品定位來(lái)看，BiCS 9針對(duì)低容量和中容量產(chǎn)品設(shè)計(jì)，以追求高效能為目標(biāo)，適用于企業(yè)級(jí)SSD等產(chǎn)品，能最大限度提升AI系統(tǒng)中GPU調(diào)用數(shù)據(jù)的效率。此前送樣的BiCS 9 512Gb產(chǎn)品，采用120層堆疊存儲(chǔ)單元，結(jié)合CBA技術(shù)，不僅性能出色，還能在現(xiàn)有生產(chǎn)設(shè)備上實(shí)現(xiàn)良好投資效率。

該512Gb TLC產(chǎn)品基于第五代BiCS FLASH技術(shù)的120層堆疊工藝與先進(jìn)CMOS技術(shù)開發(fā)，相較鎧俠現(xiàn)有同容量BiCS FLASH產(chǎn)品，性能實(shí)現(xiàn)顯著提升：寫入性能提升61%、讀取性能提升12%；能效方面，寫入操作能效提升36%，讀取操作能效提升27%；數(shù)據(jù)傳輸上，支持Toggle DDR6.0接口，NAND接口傳輸速率高達(dá)3.6Gb/s，演示條件下更是可達(dá)4.8Gb/s；同時(shí)，借助先進(jìn)橫向縮放，位密度進(jìn)一步提升8%。

而BiCS 10則聚焦未來(lái)市場(chǎng)對(duì)更大容量、更高性能解決方案的需求。為應(yīng)對(duì)尖端應(yīng)用市場(chǎng)多樣化需求，同時(shí)提供兼具投資效益與競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品，鎧俠將推行“雙軌并行”策略：一方面，以第九代BiCS FLASH產(chǎn)品通過(guò)技術(shù)融合降本提效；另一方面，以第十代BiCS FLASH產(chǎn)品通過(guò)增加堆疊層數(shù)突破容量與性能上限。

第九代產(chǎn)品的快速推進(jìn)，對(duì)鎧俠意義重大。它不僅能為中低容量存儲(chǔ)市場(chǎng)提供卓越性能與能效的解決方案，還將集成到企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤中，尤其適配需要提升AI系統(tǒng)GPU性能的應(yīng)用，助力鎧俠在AI存儲(chǔ)領(lǐng)域搶占先機(jī)。

產(chǎn)品線布局：全面覆蓋多領(lǐng)域，深耕中國(guó)市場(chǎng)，強(qiáng)化AI存儲(chǔ)解決方案

鎧俠擁有從消費(fèi)級(jí)到企業(yè)級(jí)的廣泛產(chǎn)品線，關(guān)于未來(lái)資源分配方向及中國(guó)市場(chǎng)戰(zhàn)略地位，鎧俠明確表示，將繼續(xù)加強(qiáng)全產(chǎn)品線布局，同時(shí)深耕中國(guó)市場(chǎng)，重點(diǎn)發(fā)力AI相關(guān)存儲(chǔ)領(lǐng)域。

當(dāng)前，AI推理系統(tǒng)對(duì)高性能、大容量SSD需求迫切，與此同時(shí)，智能手機(jī)和AI PC的存儲(chǔ)容量需求也在迅猛增長(zhǎng)。基于這一市場(chǎng)趨勢(shì)，鎧俠將持續(xù)推進(jìn)智能手機(jī)存儲(chǔ)、消費(fèi)端SSD以及企業(yè)級(jí)與數(shù)據(jù)中心級(jí)SSD的研發(fā)，不會(huì)偏廢任一領(lǐng)域。

針對(duì)AI系統(tǒng)，鎧俠已加強(qiáng)SSD產(chǎn)品研發(fā)，推出助力GPU性能發(fā)揮的CM9系列，以及適用于大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、容量高達(dá)245.76TB的LC9系列。此外，還專為AI研發(fā)全新大容量、高帶寬閃存模塊，該模塊擁有5TB容量和64GB/s帶寬，未來(lái)將為GPU的AI加速提供更多存儲(chǔ)解決方案。

在市場(chǎng)戰(zhàn)略中，中國(guó)市場(chǎng)占據(jù)重要地位。作為全球重要的消費(fèi)電子與AI產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)，中國(guó)在智能手機(jī)、AI PC、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域的需求旺盛，鎧俠將持續(xù)關(guān)注中國(guó)市場(chǎng)動(dòng)態(tài)，通過(guò)豐富的產(chǎn)品與技術(shù)方案，滿足中國(guó)市場(chǎng)多樣化需求，深化與中國(guó)客戶及合作伙伴的合作，共同推動(dòng)AI時(shí)代存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

未來(lái)技術(shù)研發(fā)：多維度升級(jí)3D閃存，探索下一代存儲(chǔ)技術(shù)

隨著3D NAND微縮逐漸面臨物理和經(jīng)濟(jì)學(xué)極限，PLC、鐵電存儲(chǔ)器（FeFET）等下一代技術(shù)的發(fā)展?jié)摿εc挑戰(zhàn)成為行業(yè)焦點(diǎn)。鎧俠透露，公司采取多項(xiàng)技術(shù)并行升級(jí)的策略，既致力于優(yōu)化現(xiàn)有3D閃存技術(shù)，也在積極探索下一代存儲(chǔ)技術(shù)。

在現(xiàn)有3D閃存產(chǎn)品開發(fā)上，鎧俠主要從四個(gè)維度實(shí)現(xiàn)突破：一是提升存儲(chǔ)單元堆疊層數(shù)，進(jìn)一步增加容量；二是研發(fā)更密集的橫向微縮技術(shù)，提高存儲(chǔ)密度；三是應(yīng)用更高效的CBA技術(shù)，平衡成本與性能；四是推進(jìn)每個(gè)存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)信息的多值化技術(shù)，提升單位面積存儲(chǔ)效率，通過(guò)這四大維度，打造大容量、具有成本競(jìng)爭(zhēng)力的3D閃存產(chǎn)品。

與此同時(shí)，針對(duì)未來(lái)計(jì)算和未來(lái)存儲(chǔ)需求，鎧俠也在積極研發(fā)全新理念的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，例如基于氧化物半導(dǎo)體的DRAM（OCTRAM）和MRAM等，目前相關(guān)研發(fā)工作正在有序推進(jìn)中，未來(lái)有望為存儲(chǔ)行業(yè)帶來(lái)新的技術(shù)變革。