11月27日，TrendForce集邦咨詢及旗下“全球半導(dǎo)體觀察”在深圳舉辦“MTS2026存儲產(chǎn)業(yè)趨勢研討會”及“2026十大科技市場趨勢預(yù)測發(fā)布暨TechFuture Awards頒獎典禮”。會議匯聚全球半導(dǎo)體存儲與終端應(yīng)用產(chǎn)業(yè)鏈逾千名嘉賓，線上觀眾超萬人，重點圍繞AI驅(qū)動下的供需重構(gòu)與技術(shù)走向展開討論。

集邦咨詢顧問（深圳）有限公司董事長董昀昶在開場致辭中指出，雖然AI使存儲市場價格波動劇烈，但AI并非泡沫，需求真實存在，且已改變高科技制造供應(yīng)鏈供給順序。

在上游制造環(huán)節(jié)，晶圓代工率先感受到“新周期”的壓力。集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理郭祚榮介紹，TrendForce預(yù)估2026年晶圓代工產(chǎn)業(yè)營收將年增19%，其中與AI相關(guān)的先進工藝市場年增28%，遠高于整體。臺積電今年下半年已導(dǎo)入2nm工藝生產(chǎn)，后續(xù)規(guī)劃A16、A10并持續(xù)向1nm推進；先進封裝方面，2025年產(chǎn)能年增率預(yù)計達到27%，CoWoS持續(xù)擴張，CoPoS、CoWoP處于蓄勢階段。

在芯片需求結(jié)構(gòu)上，英偉達依舊是AI領(lǐng)域主力廠商，但2026年被視為ASIC芯片起飛的關(guān)鍵節(jié)點。美國四大云端業(yè)者相繼推出自研AI芯片，國內(nèi)市場則由華為與寒武紀持續(xù)推陳出新，并與本土大語言模型結(jié)合。最先進工藝不再只服務(wù)于少數(shù)通用GPU，而是在GPU與大規(guī)模定制ASIC之間重新分配，代工廠與云服務(wù)商之間的博弈焦點隨之轉(zhuǎn)向“誰能拿到更多高端產(chǎn)能”。

內(nèi)存市場則最直接體現(xiàn)出“新周期”的緊繃程度。集邦咨詢資深研究副總經(jīng)理吳雅婷指出，AI服務(wù)器與通用服務(wù)器正共同驅(qū)動新一輪存儲器超級周期。TrendForce預(yù)估，到2026年，與AI及服務(wù)器相關(guān)應(yīng)用將占DRAM總產(chǎn)能的66%，云端服務(wù)供貨商積極簽訂長約鎖定服務(wù)器DRAM供給。三大DRAM廠商提高資本支出并規(guī)劃新廠，但新增產(chǎn)能優(yōu)先供應(yīng)HBM，帶來明顯的產(chǎn)能排擠效應(yīng)：AI服務(wù)器（如NVIDIA GB300）對LPDDR5X需求激增，開始嚴重壓縮智能手機LPDRAM供給，服務(wù)器模組同樣被HBM擠壓，價格自2025年第四季度起明顯上揚。

TrendForce分析認為，DRAM將面臨比NAND更嚴峻的缺貨，市場上將出現(xiàn)圍繞有限產(chǎn)能的競價；在ASP持續(xù)上漲帶動下，2026年DRAM平均售價預(yù)計年增36%，營收預(yù)計飆升56%，但受無塵室空間與設(shè)備交付周期限制，位元產(chǎn)出增幅有限，“量不及價”的特征將進一步放大。

在閃存與終端存儲方面，集邦咨詢研究經(jīng)理羅智文指出，AI大模型參數(shù)規(guī)模暴增，帶來新的存儲瓶頸。HBM速度極快，但容量有限、成本高昂，在HBM（極快、極貴）與傳統(tǒng)SSD（慢、便宜）之間形成效能斷層；同時，HDD市場因供應(yīng)鏈限制交期長達52周，2026年預(yù)計將出現(xiàn)150EB缺口，需求被迫轉(zhuǎn)向高密度QLC eSSD，導(dǎo)致整體供不應(yīng)求。在此背景下，NAND Flash開始從“被動存儲”轉(zhuǎn)向“輔助運算核心”：一方面，高帶寬閃存HBF被定位為HBM的低成本補充，為GPU提供TB級“溫區(qū)倉庫”，緩解模型容量瓶頸；另一方面，AI SSD在控制器內(nèi)整合NPU，在本地執(zhí)行如RAG Top-K等近數(shù)據(jù)處理，扮演GPU的“智能前哨”，緩解數(shù)據(jù)管線壓力，讓GPU專注核心計算。TrendForce判斷，在供應(yīng)偏緊格局與新產(chǎn)品形態(tài)共同作用下，2026年NAND產(chǎn)業(yè)有望迎來景氣與價值重估。